Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB10M65DF2
STGB10M65DF2

STGB10M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00157911.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+123.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB10M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 115 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Part Status: Active, Gate Charge: 28 nC, Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak).

Інші пропозиції STGB10M65DF2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGB10M65DF2 STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 STGB10M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157911.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
STGB10M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10M65DF2 en.DM00157911.pdf
STGB10M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.