STGB10M65DF2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 115.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB10M65DF2 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції STGB10M65DF2 за ціною від 115.17 грн до 209.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGB10M65DF2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGB10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGB10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGB10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
STGB10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STGB10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package |
товару немає в наявності |