Продукція > Транзистори > IGBT > STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Китай
STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE

STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE Китай

Код товару: 212617
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Китай
Корпус: D²PAK
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGB10NB37LZT4 відсутній резистор GE за ціною від 52.54 грн до 351.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Код товару: 34446
3 Додати до обраних Обраний товар
Виробник : ST cd00002226-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: D²PAK
Vces: 410 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
у наявності: 48 шт
36 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+127.00 грн
10+114.50 грн
100+102.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMicroelectronics STGB10NB37LZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.32 грн
10+131.66 грн
20+117.49 грн
50+99.16 грн
100+86.66 грн
500+79.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.34 грн
10+152.06 грн
100+89.30 грн
500+87.92 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.24 грн
10+224.84 грн
100+160.27 грн
500+134.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 en.CD00002226.pdf
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35954-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35954-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002226.pdf Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.