STGB10NB37LZT4
у наявності 83 шт:
26 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 127 грн |
10+ | 114.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGB10NB37LZT4 за ціною від 56.74 грн до 261.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level Application: ignition systems |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 440V Collector current: 20A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped; logic level Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 521 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | IGBT Transistors 10 A - 410 V Int Clamped IGBT |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STGB10NB37LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 440V 20A 125W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
З цим товаром купують
NGD8201ANT4G (DPAK, ON) Код товару: 170166 |
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: DPAK
Vces: 440 V
Vce: 1,3 V
Ic 25: 20 A
Pd 25: 125 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 1,5/8
Транзистори > IGBT
Корпус: DPAK
Vces: 440 V
Vce: 1,3 V
Ic 25: 20 A
Pd 25: 125 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 1,5/8
товар відсутній
220uF 250V ELP 22x30mm (ELP221M2EBA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2950 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 22х30mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 22х30mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 44 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
10+ | 38 грн |
1000uF 25V ECR 10x21mm (ECR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2945 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 260 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
10+ | 4.5 грн |
100+ | 4.1 грн |
12 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2109 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 23372 шт
очікується:
5000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
IRLML2402TRPBF Код товару: 1173 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 1,2 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 8611 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 2.9 грн |
100+ | 2.5 грн |