Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4

STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics

en.CD00077678.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 20A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns, Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.

Інші пропозиції STGB10NC60HDT4 за ціною від 44.45 грн до 214.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.61 грн
5+133.63 грн
10+116.33 грн
12+77.82 грн
33+73.89 грн
100+71.53 грн
500+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00077678.pdf Description: IGBT 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.58 грн
10+111.15 грн
100+76.00 грн
500+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00077678.pdf IGBTs N Ch 10A 600V
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.48 грн
10+114.55 грн
100+68.14 грн
500+54.03 грн
1000+48.07 грн
2000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A7AB6971C0D2&compId=stgb10nc60hd.pdf?ci_sign=e3176c16b0237af37917d055bd8d6b870cee17c4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.34 грн
5+166.52 грн
10+139.60 грн
12+93.38 грн
33+88.67 грн
100+85.84 грн
500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00077678.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)
Код товару: 155334
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 11862.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00077678.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.cd00077678.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 11862.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.