Продукція > Транзистори > IGBT > STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)

STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)

Код товару: 155334
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST) за ціною від 77.11 грн до 183.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00077678.pdf Description: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics stgb10nc60hd.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.04 грн
5+137.63 грн
10+120.22 грн
100+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics en.CD00077678.pdf IGBTs N Ch 10A 600V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 en.CD00077678.pdf
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 stgb10nc60hd.pdf
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+183.04 грн
5+137.63 грн
10+120.22 грн
100+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60HDT4 en.CD00077678.pdf
STGB10NC60HDT4
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs N Ch 10A 600V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.