Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics

stgb10nc60kdt4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+59.55 грн
211+58.61 грн
215+57.68 грн
250+54.72 грн
500+49.83 грн
1000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.

Інші пропозиції STGB10NC60KDT4 за ціною від 35.58 грн до 169.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.80 грн
12+63.80 грн
25+62.80 грн
100+59.59 грн
250+54.29 грн
500+51.26 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf IGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.33 грн
10+73.68 грн
100+50.44 грн
500+44.65 грн
1000+38.63 грн
2000+36.19 грн
5000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.77 грн
10+104.60 грн
100+71.25 грн
500+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4
Код товару: 155948
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00058414.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.