Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics

stgp10nc60kd.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.63 грн
12+54.77 грн
25+53.91 грн
100+51.16 грн
250+46.60 грн
500+44.00 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.

Інші пропозиції STGB10NC60KDT4 за ціною від 48.19 грн до 166.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4-1850827.pdf IGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.97 грн
10+88.36 грн
25+76.08 грн
100+60.27 грн
250+59.82 грн
500+53.18 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.22 грн
10+102.41 грн
100+69.76 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4
Код товару: 155948
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00058414.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgp10nc60kd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.