Продукція > Транзистори > IGBT > STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4

en.CD00058414.pdf
Код товару: 155948
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGB10NC60KDT4 за ціною від 32.64 грн до 147.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+66.37 грн
199+65.33 грн
202+64.29 грн
250+60.99 грн
500+55.55 грн
1000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+71.11 грн
25+69.99 грн
100+66.42 грн
250+60.51 грн
500+57.13 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.22 грн
10+83.05 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf IGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 3232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.57 грн
10+93.22 грн
100+54.65 грн
500+43.40 грн
1000+37.95 грн
2000+35.85 грн
5000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.07 грн
10+87.48 грн
25+74.02 грн
40+68.14 грн
100+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.