Продукція > Транзистори > IGBT > STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4

en.CD00058414.pdf
Код товару: 155948
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGB10NC60KDT4 за ціною від 41.78 грн до 176.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.83 грн
25+73.65 грн
100+69.90 грн
250+63.67 грн
500+60.12 грн
1000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics stgb10nc60kdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+74.83 грн
199+73.65 грн
202+72.48 грн
250+68.76 грн
500+62.63 грн
1000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.35 грн
10+96.97 грн
13+73.57 грн
36+70.22 грн
50+68.55 грн
100+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.04 грн
10+96.60 грн
100+65.48 грн
500+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics en.CD00058414.pdf IGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+176.31 грн
10+109.90 грн
100+64.38 грн
500+52.60 грн
1000+47.11 грн
2000+44.00 грн
5000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
STGB10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 stgb10nc60kdt4.pdf
STGB10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.83 грн
25+73.65 грн
100+69.90 грн
250+63.67 грн
500+60.12 грн
1000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 stgb10nc60kdt4.pdf
STGB10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+74.83 грн
199+73.65 грн
202+72.48 грн
250+68.76 грн
500+62.63 грн
1000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
STGB10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.35 грн
10+96.97 грн
13+73.57 грн
36+70.22 грн
50+68.55 грн
100+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
STGB10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.04 грн
10+96.60 грн
100+65.48 грн
500+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB10NC60KDT4 en.CD00058414.pdf
STGB10NC60KDT4
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs N-channel MOSFET
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.31 грн
10+109.90 грн
100+64.38 грн
500+52.60 грн
1000+47.11 грн
2000+44.00 грн
5000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.