STGB15H60DF STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 61.14 грн |
| 2000+ | 57.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB15H60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns, Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції STGB15H60DF за ціною від 59.23 грн до 219.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGB15H60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 600V H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 600V H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 103 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 115 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGB15H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |