STGB15H60DF

STGB15H60DF STMicroelectronics


stgf15h60df.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.29 грн
2000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB15H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns, Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 81 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 115 W.

Інші пропозиції STGB15H60DF за ціною від 59.37 грн до 238.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf15h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+66.68 грн
2000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf15h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics stgb15h60df-1850654.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
100+87.14 грн
250+63.71 грн
500+63.64 грн
2000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007992988-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.54 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007992988-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.28 грн
10+139.47 грн
100+115.54 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.74 грн
10+149.74 грн
100+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf15h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf15h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics stgf15h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15H60DF Виробник : STMicroelectronics en.DM00092755.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.