STGB15M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 52.38 грн |
| 2000+ | 46.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB15M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 142 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns, Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 45 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 136 W.
Інші пропозиції STGB15M65DF2 за ціною від 47.50 грн до 170.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 142 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 45 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W |
на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STGB15M65DF2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGB15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 65.63 грн |
| STGB15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 65.63 грн |
| STGB15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.54 грн |
| 10+ | 100.06 грн |
| 100+ | 68.36 грн |
| 500+ | 51.43 грн |
| STGB15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 170.74 грн |
| 10+ | 108.76 грн |
| 100+ | 64.68 грн |
| 500+ | 51.57 грн |
| 1000+ | 47.50 грн |
| STGB15M65DF2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




