Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB15M65DF2
STGB15M65DF2

STGB15M65DF2 STMicroelectronics

4187554548330040dm0009.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+59.77 грн
2000+56.07 грн
3000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB15M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 142 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns, Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 45 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 136 W.

Інші пропозиції STGB15M65DF2 за ціною від 55.69 грн до 179.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+63.85 грн
2000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 4187554548330040dm0009.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+64.37 грн
2000+60.38 грн
3000+59.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgb15m65df2-1850711.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.60 грн
10+118.44 грн
100+82.40 грн
250+80.19 грн
500+69.08 грн
1000+58.63 грн
2000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.85 грн
10+119.93 грн
100+84.34 грн
500+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 4187554548330040dm0009.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 4187554548330040dm0009.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 4187554548330040dm0009.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 4187554548330040dm0009.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 4187554548330040dm0009.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB15M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00096991.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.