
STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 71.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції STGB19NC60HDT4 за ціною від 80.47 грн до 316.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W |
товару немає в наявності |