STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 90.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 130 W.
Інші пропозиції STGB19NC60HDT4 за ціною від 83.38 грн до 195.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N Ch 600V 19A |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off) Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 130 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGB19NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |