Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB19NC60HDT4
STGB19NC60HDT4

STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics

2346247221960282cd001.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns, Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off), Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 130 W.

Інші пропозиції STGB19NC60HDT4 за ціною від 78.48 грн до 325.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+94.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.88 грн
10+165.07 грн
11+87.25 грн
30+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf IGBTs N Ch 600V 19A
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.15 грн
10+175.29 грн
100+106.40 грн
500+92.82 грн
1000+79.99 грн
5000+78.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Description: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.82 грн
10+171.52 грн
100+120.19 грн
500+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00144165.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.06 грн
10+205.70 грн
11+104.70 грн
30+99.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 en.CD00144165.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB19NC60HDT4 STGB19NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics 2346247221960282cd001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.