STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 129.36 грн |
| 100+ | 117.69 грн |
| 122+ | 96.1 грн |
| 200+ | 86.66 грн |
| 500+ | 79.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 35A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns, Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off), Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції STGB19NC60KDT4 за ціною від 179.14 грн до 438.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB19NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGB19NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
STGB19NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STGB19NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
STGB19NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STGB19NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 125 W |
товар відсутній |