
STGB20M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.50 грн |
10+ | 131.98 грн |
100+ | 91.22 грн |
250+ | 83.87 грн |
500+ | 76.51 грн |
1000+ | 65.70 грн |
2000+ | 62.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB20M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns, Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 166 W.
Інші пропозиції STGB20M65DF2 за ціною від 92.39 грн до 215.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 166 W |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: D2PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 166 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
STGB20M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |