Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB20M65DF2
STGB20M65DF2

STGB20M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00244727.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.55 грн
10+117.53 грн
100+80.73 грн
500+61.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB20M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns, Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 166 W.

Інші пропозиції STGB20M65DF2 за ціною від 53.41 грн до 204.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00244727.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.43 грн
10+130.54 грн
100+77.71 грн
500+68.11 грн
1000+57.60 грн
2000+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgb20m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgb20m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgb20m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 STGB20M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00244727.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00244727.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.