STGB20NB32LZ
Виробник:
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB20NB32LZ
Description: IGBT 375V 40A 150W I2PAK, Power - Max: 150 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Gate Charge: 51 nC, Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V, Switching Energy: 11.8mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/11.5µs, Supplier Device Package: D2PAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Input Type: Standard, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STGB20NB32LZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB20NB32LZ | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 375V 40A 150W I2PAK Power - Max: 150 W Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Gate Charge: 51 nC Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V Switching Energy: 11.8mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/11.5µs Supplier Device Package: D2PAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |