на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 294.47 грн |
| 10+ | 190.02 грн |
| 100+ | 116.73 грн |
| 500+ | 103.84 грн |
| 1000+ | 94.75 грн |
| 2000+ | 87.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 442V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs, Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off), Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 46 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції STGB20NB41LZT4 за ціною від 110.22 грн до 321.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Version: ESD Application: automotive industry; ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Version: ESD Application: automotive industry; ignition systems |
товару немає в наявності |