STGB20NB41LZT4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 276.81 грн |
| 10+ | 204.01 грн |
| 100+ | 154.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB20NB41LZT4 STMICROELECTRONICS
Description: IGBT 442V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs, Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off), Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 46 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції STGB20NB41LZT4 за ціною від 87.53 грн до 319.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Version: ESD Application: automotive industry; ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGB20NB41LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Version: ESD Application: automotive industry; ignition systems |
товару немає в наявності |