STGB20NB41LZT4

STGB20NB41LZT4 STMICROELECTRONICS


SGSTS36808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+276.81 грн
10+204.01 грн
100+154.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB20NB41LZT4 STMICROELECTRONICS

Description: IGBT 442V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs, Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off), Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 46 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції STGB20NB41LZT4 за ціною від 87.53 грн до 319.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003294.pdf IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.16 грн
10+189.18 грн
100+116.21 грн
500+103.38 грн
1000+94.33 грн
2000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003294.pdf Description: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.98 грн
10+202.41 грн
100+142.49 грн
500+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics stgb20nb41lz.pdf Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics 68cd00003294.pdf Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics 68cd00003294.pdf Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics stgb20nb41lz.pdf Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003294.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003294.pdf Description: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB20NB41LZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003294.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.