
STGB25N36LZAG STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 87.69 грн |
2000+ | 83.25 грн |
3000+ | 80.48 грн |
5000+ | 76.15 грн |
10000+ | 68.76 грн |
20000+ | 63.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB25N36LZAG STMicroelectronics
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs, Gate Charge: 25.7 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STGB25N36LZAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 25.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Version: ESD Application: automotive industry; ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs Gate Charge: 25.7 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STGB25N36LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 25.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Version: ESD Application: automotive industry; ignition systems |
товару немає в наявності |