STGB25N36LZAG

STGB25N36LZAG STMicroelectronics


stgb25n36lzag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+87.69 грн
2000+83.25 грн
3000+80.48 грн
5000+76.15 грн
10000+68.76 грн
20000+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB25N36LZAG STMicroelectronics

Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs, Gate Charge: 25.7 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STGB25N36LZAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB25N36LZAG STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics stgb25n36lzag.pdf Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics stgb25n36lzag.pdf Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics stgb25n36lzag.pdf Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics Description: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs
Gate Charge: 25.7 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics stgb25n36lzag-2090264.pdf IGBT Transistors Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB25N36LZAG Виробник : STMicroelectronics Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: automotive industry; ignition systems
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.