Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

STGB30H60DFB STMicroelectronics

stgb30h60dfb.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB30H60DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

Інші пропозиції STGB30H60DFB за ціною від 80.17 грн до 288.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008386607-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+174.76 грн
500+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008386607-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+286.47 грн
10+229.01 грн
25+217.35 грн
100+174.76 грн
500+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb-1850973.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.40 грн
250+282.57 грн
500+224.19 грн
1000+82.40 грн
2000+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf STGB30H60DFB SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DFB STGB30H60DFB Виробник : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.