Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB30H60DLFB
STGB30H60DLFB

STGB30H60DLFB STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0000954765-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB30H60DLFB STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 260W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 650V HB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції STGB30H60DLFB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGB30H60DLFB STGB30H60DLFB STMicroelectronics dm00118368-1798392.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFB STGB30H60DLFB STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954765-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFB dm00118368-1798392.pdf
STGB30H60DLFB
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H60DLFB SGST-S-A0000954765-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STGB30H60DLFB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.