STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/320ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.94 грн |
| 10+ | 157.63 грн |
| 100+ | 110.04 грн |
| 500+ | 90.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/320ns, Switching Energy: 600µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGB30H60DLLFBAG за ціною від 79.04 грн до 272.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGB30H60DLLFBAG | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGB30H60DLLFBAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
STGB30H60DLLFBAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
STGB30H60DLLFBAG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/320ns Switching Energy: 600µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGB30H60DLLFBAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK; ignition systems Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Power dissipation: 260W Application: ignition systems Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Gate charge: 110nC |
товару немає в наявності |

