STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/320ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 257.07 грн |
| 10+ | 161.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB30H60DLLFBAG STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 5V, 30A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/320ns, Switching Energy: 600µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 5V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Інші пропозиції STGB30H60DLLFBAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
STGB30H60DLLFBAG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLLFBAG - IGBT, 60 A, 1.7 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Verlustleistung: 260W SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGB30H60DLLFBAG |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLLFBAG - IGBT, 60 A, 1.7 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLLFBAG - IGBT, 60 A, 1.7 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



