Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB30H65DFB2
STGB30H65DFB2

STGB30H65DFB2 STMICROELECTRONICS

3108744.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 167W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+92.66 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB30H65DFB2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 167W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HB2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STGB30H65DFB2 за ціною від 65.82 грн до 200.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGB30H65DFB2 STGB30H65DFB2 STMICROELECTRONICS 3108744.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.77 грн
10+130.06 грн
100+92.66 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 STGB30H65DFB2 STMicroelectronics stgb30h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 3108744.pdf
STGB30H65DFB2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+200.77 грн
10+130.06 грн
100+92.66 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30H65DFB2 stgb30h65dfb2.pdf
STGB30H65DFB2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.