Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB30M65DF2
STGB30M65DF2

STGB30M65DF2 STMicroelectronics

1768376974031466dm0015.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGB30M65DF2 за ціною від 88.68 грн до 265.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1768376974031466dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+91.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgb30m65df2-1850637.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.48 грн
10+184.84 грн
25+156.32 грн
100+130.64 грн
250+126.23 грн
500+115.22 грн
1000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.16 грн
10+166.43 грн
100+116.00 грн
500+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1768376974031466dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1768376974031466dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1768376974031466dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1768376974031466dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1768376974031466dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics STGB30M65DF2.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.