Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB30V60DF
STGB30V60DF

STGB30V60DF STMicroelectronics

27dm00079435.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+91.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Інші пропозиції STGB30V60DF за ціною від 85.34 грн до 264.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df-1850830.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.32 грн
10+165.82 грн
25+143.46 грн
100+104.47 грн
500+86.81 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.21 грн
10+166.22 грн
100+116.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics 27dm00079435.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB30V60DF STGB30V60DF Виробник : STMicroelectronics stgb30v60df.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 258W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.