STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics


en.CD00047515.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 1200V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 1200V 14A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 51 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns, Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off), Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 24 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції STGB3NC120HDT4 за ціною від 43.13 грн до 169.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb3nc120hdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb3nc120hdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00047515.pdf Description: IGBT 1200V 14A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.03 грн
10+100.84 грн
100+68.57 грн
500+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00047515.pdf IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.07 грн
10+107.37 грн
100+63.54 грн
500+50.58 грн
1000+45.91 грн
2000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgb3nc120hdt4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 Виробник : STM STGx3NC120HD.PDF IGBT 1200V 14A 75W D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Виробник : STMicroelectronics STGx3NC120HD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 7A; 75W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 7A
Power dissipation: 75W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.