Технічний опис STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 1200V 14A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 51 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns, Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off), Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 24 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 75 W.
Інші пропозиції STGB3NC120HDT4 за ціною від 58.84 грн до 58.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
STGB3NC120HDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 14A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 76 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGB3NC120HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 58.84 грн |
| STGB3NC120HDT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 14A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 14A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGB3NC120HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)