STGB40H65FB STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 176.9 грн |
| 200+ | 153.91 грн |
| 500+ | 133.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB40H65FB STMICROELECTRONICS
Description: IGBT BIPO 650V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGB40H65FB за ціною від 116.61 грн до 290.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB40H65FB | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 0.21µC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT BIPO 650V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT BIPO 650V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGB40H65FB | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 0.21µC Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |