Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB40H65FB
STGB40H65FB

STGB40H65FB STMicroelectronics

en.DM00306732.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+89.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB40H65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGB40H65FB за ціною від 73.87 грн до 279.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGB40H65FB STGB40H65FB STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007407358-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.72 грн
200+138.36 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB STGB40H65FB STMicroelectronics en.DM00306732.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.89 грн
10+163.54 грн
100+99.41 грн
500+86.98 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB STGB40H65FB STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
10+162.21 грн
100+113.40 грн
500+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB STGB40H65FB STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007407358-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.47 грн
10+183.63 грн
50+166.72 грн
200+138.36 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB SGST-S-A0007407358-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STGB40H65FB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+166.72 грн
200+138.36 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB en.DM00306732.pdf
STGB40H65FB
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.89 грн
10+163.54 грн
100+99.41 грн
500+86.98 грн
1000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB en.DM00306732.pdf
STGB40H65FB
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.84 грн
10+162.21 грн
100+113.40 грн
500+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40H65FB SGST-S-A0007407358-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STGB40H65FB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+279.47 грн
10+183.63 грн
50+166.72 грн
200+138.36 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.