Продукція > STMICROELECTRONICS > STGB40V60F
STGB40V60F

STGB40V60F STMicroelectronics

stgb40v60f.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+100.04 грн
2000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB40V60F STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

Інші пропозиції STGB40V60F за ціною від 83.76 грн до 325.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgb40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+107.19 грн
2000+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgb40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+118.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgb40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS51869-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.68 грн
500+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgb40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+179.13 грн
82+149.78 грн
83+148.31 грн
101+117.86 грн
250+108.04 грн
500+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgb40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+191.93 грн
10+160.48 грн
25+158.91 грн
100+126.28 грн
250+115.75 грн
500+102.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS51869-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.91 грн
10+214.17 грн
100+150.68 грн
500+125.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.64 грн
10+186.58 грн
100+126.77 грн
500+106.40 грн
1000+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgw40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics stgw40v60f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60F Виробник : STMicroelectronics en.DM00086251.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 226nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.