
STGB40V60F STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 104.43 грн |
2000+ | 99.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB40V60F STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Інші пропозиції STGB40V60F за ціною від 90.42 грн до 254.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STGB40V60F | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |