STGB50H65FB2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 272W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 86A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 108.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB50H65FB2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 272W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HB2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 86A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STGB50H65FB2 за ціною від 108.94 грн до 164.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGB50H65FB2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 151nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 272 W |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGB50H65FB2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53A Power dissipation: 272W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: SMD Gate charge: 151nC Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |