STGB50H65FB2

STGB50H65FB2 STMicroelectronics


stgb50h65fb2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
на замовлення 5154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.15 грн
10+145.08 грн
100+112.91 грн
500+105.24 грн
1000+55.55 грн
5000+52.20 грн
10000+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB50H65FB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns, Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 151 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 86 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 272 W.

Інші пропозиції STGB50H65FB2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB50H65FB2 STGB50H65FB2 Виробник : STMicroelectronics stgb50h65fb2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.