STGB50H65FB2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB50H65FB2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 272W, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 86A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HB2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 86A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції STGB50H65FB2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB50H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 272W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 86A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
STGB50H65FB2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 272W Verlustleistung: 272W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 86A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 86A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGB50H65FB2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGB50H65FB2 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 272W
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 86A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 272W
Verlustleistung: 272W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 86A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)