Технічний опис STGB6NC60HDT4
- IGBT, SMD, 600V, 7A, D2-PAK
- Transistor Type:PowerMESH
- Max Voltage Vce Sat:2.5V
- No. of Pins:3
- Case Style:D2-PAK
- Fall Time Tf:76ns
- Max Current Ic Continuous a:15A
- Power Dissipation:56W
- Pulsed Current Icm:21A
- Rise Time:5ns
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:N
- Voltage Vces:600V
Інші пропозиції STGB6NC60HDT4 за ціною від 23.63 грн до 113.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 56W D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs PowerMESH TM IGBT |
на замовлення 7925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGB6NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |