Продукція > STM > STGB7NB60HDT4

STGB7NB60HDT4 STM


STGB7NB60HD.pdf
Виробник: STM
07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGB7NB60HDT4 STM

Description: IGBT 600V 14A 80W D2PAK, Power - Max: 80 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 42 nC, Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 85µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns, Supplier Device Package: D2PAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STGB7NB60HDT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGB7NB60HDT4 STGB7NB60HDT4 Виробник : STMicroelectronics STGB7NB60HD.pdf Description: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 42 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB60HDT4 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001616-1204793.pdf IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.