на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.21 грн |
| 10+ | 140.58 грн |
| 100+ | 84.52 грн |
| 500+ | 70.10 грн |
| 1000+ | 62.71 грн |
| 2000+ | 59.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB7NC60HDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns, Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off), Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 35 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 80 W.
Інші пропозиції STGB7NC60HDT4 за ціною від 103.62 грн до 242.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB7NC60HDT4 - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 25A 80W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 80 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STGB7NC60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 80W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |