STGD10HF60KD

STGD10HF60KD STMicroelectronics


en.DM00049493.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD10HF60KD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns, Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 23 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 62.5 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STGD10HF60KD за ціною від 43.69 грн до 199.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001540171-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.81 грн
500+78.60 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+156.07 грн
82+150.12 грн
100+145.03 грн
250+135.60 грн
500+122.14 грн
1000+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Ultrafast diode
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.07 грн
10+111.95 грн
100+66.18 грн
500+55.39 грн
1000+53.35 грн
2500+52.60 грн
5000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.38 грн
10+117.75 грн
100+80.81 грн
500+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001540171-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.78 грн
10+133.75 грн
100+94.81 грн
500+78.60 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62.5W; DPAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62.5W; DPAK; ignition systems
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Application: ignition systems
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.