STGD10HF60KD STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.71 грн |
| 10+ | 110.65 грн |
| 100+ | 75.37 грн |
| 500+ | 56.56 грн |
| 1000+ | 52.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD10HF60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK, Power - Max: 62.5 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Part Status: Active, Gate Charge: 23 nC, Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns, Supplier Device Package: DPAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції STGD10HF60KD за ціною від 132.29 грн до 180.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGD10HF60KD | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STGD10HF60KD | STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STGD10HF60KD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 62.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STGD10HF60KD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 62.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGD10HF60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 180.48 грн |
| 82+ | 173.60 грн |
| 100+ | 167.71 грн |
| 250+ | 156.81 грн |
| 500+ | 141.25 грн |
| 1000+ | 132.29 грн |
| STGD10HF60KD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STGD10HF60KD |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGD10HF60KD |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





