STGD10HF60KD STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 56.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD10HF60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns, Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 23 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 62.5 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STGD10HF60KD за ціною від 44.01 грн до 190.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Ultrafast diode |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 10A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGD10HF60KD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |


