Продукція > STMICROELECTRONICS > STGD10HF60KD
STGD10HF60KD

STGD10HF60KD STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0001540171-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.90 грн
500+100.15 грн
1000+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD10HF60KD STMICROELECTRONICS

Description: IGBT 600V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns, Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 23 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 62.5 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STGD10HF60KD за ціною від 54.68 грн до 204.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics stgd10hf60kd-1850752.pdf IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Ultrafast diode
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.23 грн
10+124.07 грн
100+75.59 грн
500+61.28 грн
1000+56.73 грн
2500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.71 грн
10+120.18 грн
100+82.46 грн
500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001540171-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.18 грн
10+163.01 грн
100+130.90 грн
500+100.15 грн
1000+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics 1306583991630275dm00049493.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf STGD10HF60KD SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KD STGD10HF60KD Виробник : STMicroelectronics en.DM00049493.pdf Description: IGBT 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.