STGD18N40LZT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 73.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD18N40LZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STGD18N40LZT4 за ціною від 58.33 грн до 203.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT |
на замовлення 3271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGD18N40LZT4 |
|
на замовлення 80 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
STGD18N40LZT4 Код товару: 73438
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 +1 |
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 420V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 25A 125W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 125 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
+1 |
STGD18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 420V; 25A; 150W; DPAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 420V Collector current: 25A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD |
товару немає в наявності |