STGD20N45LZAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1670000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 70.63 грн |
| 5000+ | 67.65 грн |
| 10000+ | 66.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD20N45LZAG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 25A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STGD20N45LZAG за ціною від 34.58 грн до 171.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1670000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD20N45LZAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 450V 25A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ |
на замовлення 3747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGD20N45LZAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 450 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 227500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 450V 25A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 26 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGD20N45LZAG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 450V; 25A; 150W; DPAK; ignition systems; ESD Case: DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 450V Version: ESD Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Power dissipation: 150W Application: ignition systems |
товару немає в наявності |