Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGD3HF60HDT4 за ціною від 17.96 грн до 99.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4.5A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM |
на замовлення 18564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STGD3HF60HDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
товару немає в наявності |