STGD3HF60HDT4


en.CD00277878.pdf
Код товару: 149103
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STGD3HF60HDT4 за ціною від 25.31 грн до 99.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 STMICROELECTRONICS 2301909.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.37 грн
500+36.31 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics en.CD00277878.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+49.65 грн
100+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics en.CD00277878.pdf Description: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.36 грн
100+37.95 грн
500+27.82 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 STMICROELECTRONICS 2301909.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
14+62.43 грн
100+41.37 грн
500+36.31 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics en.CD00277878.pdf IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
на замовлення 18564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 2301909.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+41.37 грн
500+36.31 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 en.CD00277878.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4.5A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.80 грн
10+49.65 грн
100+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 en.CD00277878.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK
Power - Max: 38 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.06 грн
10+57.36 грн
100+37.95 грн
500+27.82 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 2301909.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+99.17 грн
14+62.43 грн
100+41.37 грн
500+36.31 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3HF60HDT4 en.CD00277878.pdf
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
на замовлення 18564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.