Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STGD3HF60HDT4 за ціною від 18.80 грн до 100.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off) Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | STMicroelectronics |
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM |
на замовлення 18450 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD3HF60HDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STGD3HF60HDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STGD3HF60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.46 грн |
| STGD3HF60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.14 грн |
| 5000+ | 25.77 грн |
| 7500+ | 25.46 грн |
| STGD3HF60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
Description: IGBT 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/60ns
Switching Energy: 19µJ (on), 12µJ (off)
Test Condition: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.56 грн |
| 10+ | 56.08 грн |
| 100+ | 37.00 грн |
| 500+ | 27.06 грн |
| 1000+ | 24.59 грн |
| STGD3HF60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.68 грн |
| 10+ | 56.10 грн |
| 100+ | 34.37 грн |
| 500+ | 27.94 грн |
| 1000+ | 25.38 грн |
| 2500+ | 19.09 грн |
| 5000+ | 18.80 грн |
| STGD3HF60HDT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STGD3HF60HDT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD3HF60HDT4 - IGBT, 7.5 A, 2.45 V, 38 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)