Продукція > STMICROELECTRONICS > STGD3NB60SDT4
STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics

STGD3NB60SD.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 48 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-, Switching Energy: 1.15mJ (off), Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V, Gate Charge: 18 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A, Power - Max: 48 W.

Інші пропозиції STGD3NB60SDT4 за ціною від 23.31 грн до 109.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Description: IGBT 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 48 W
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.72 грн
10+60.63 грн
100+40.23 грн
500+29.53 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.33 грн
10+67.73 грн
100+39.08 грн
500+30.86 грн
1000+30.02 грн
2500+25.52 грн
5000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD3NB60SDT4 Виробник : STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 18nC
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 48W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.