Продукція > STMICROELECTRONICS > STGD4H60DF
STGD4H60DF

STGD4H60DF STMICROELECTRONICS

4015107.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD4H60DF STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns, Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off), Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 35 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції STGD4H60DF за ціною від 26.42 грн до 64.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD4H60DF STGD4H60DF Виробник : STMicroelectronics stgd4h60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+41.51 грн
25+37.37 грн
100+30.76 грн
250+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DF STGD4H60DF Виробник : STMICROELECTRONICS 4015107.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.08 грн
19+44.46 грн
100+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DF STGD4H60DF Виробник : STMicroelectronics stgd4h60df.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.30 грн
10+45.41 грн
25+35.59 грн
100+31.19 грн
250+29.06 грн
500+27.82 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DF Виробник : STMicroelectronics stgd4h60df.pdf STGD4H60DF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4H60DF STGD4H60DF Виробник : STMicroelectronics stgd4h60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.