Продукція > STMICROELECTRONICS > STGD4M65DF2
STGD4M65DF2

STGD4M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00249139.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD4M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 133 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: DPAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns, Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 15.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A, Power - Max: 68 W.

Інші пропозиції STGD4M65DF2 за ціною від 25.95 грн до 122.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD4M65DF2 STGD4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00249139.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 STGD4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00249139.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+86.85 грн
154+80.98 грн
200+68.90 грн
500+49.37 грн
1000+43.28 грн
2500+35.45 грн
5000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 STGD4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00249139.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.83 грн
10+75.62 грн
100+43.89 грн
500+35.49 грн
1000+31.48 грн
2500+28.91 грн
5000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 STGD4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00249139.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
на замовлення 6124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.78 грн
10+74.96 грн
100+50.20 грн
500+37.16 грн
1000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00249139.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD4M65DF2 STGD4M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00249139.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.