STGD4M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD4M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 133 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Supplier Device Package: DPAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns, Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off), Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 15.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A, Power - Max: 68 W.
Інші пропозиції STGD4M65DF2 за ціною від 25.88 грн до 122.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss |
на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: DPAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 15.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A Power - Max: 68 W |
на замовлення 6124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 4A Power dissipation: 68W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 16A Mounting: SMD Gate charge: 15.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STGD4M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 4A Power dissipation: 68W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 16A Mounting: SMD Gate charge: 15.2nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |