Продукція > STMICROELECTRONICS > STGD5H60DF
STGD5H60DF

STGD5H60DF STMICROELECTRONICS

2819070.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+37.15 грн
500+33.36 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD5H60DF STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns, Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 43 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 83 W.

Інші пропозиції STGD5H60DF за ціною від 17.14 грн до 90.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.72 грн
10+51.68 грн
100+29.61 грн
500+23.34 грн
1000+20.90 грн
2500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.70 грн
10+59.54 грн
50+41.93 грн
100+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.44 грн
100+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF STGD5H60DF STMICROELECTRONICS 2819070.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
50+56.49 грн
100+37.15 грн
500+33.36 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.72 грн
10+51.68 грн
100+29.61 грн
500+23.34 грн
1000+20.90 грн
2500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 83W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.70 грн
10+59.54 грн
50+41.93 грн
100+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF en.DM00149621.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.57 грн
10+53.44 грн
100+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD5H60DF 2819070.pdf
STGD5H60DF
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 83 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+90.23 грн
50+56.49 грн
100+37.15 грн
500+33.36 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.