STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 54.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 1200V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs, Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off), Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A, Power - Max: 75 W.
Інші пропозиції STGD5NB120SZT4 за ціною від 42.50 грн до 209.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STGD5NB120SZT4 Код товару: 35358
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > IGBT Корпус: DPAK Vces: 1200 V Vce: 1,2 V Ic 25: 10 A Ic 100: 5 A Pd 25: 55 W |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
|
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 10A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1200V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1200V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off) Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STGD5NB120SZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 10A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped |
товару немає в наявності |