STGD5NB120SZT4

STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics


stgd5nb120sz-1850692.pdf Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-Ch 1200 Volt 5 Amp
на замовлення 5070 шт:

термін постачання 984-993 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.29 грн
10+ 122.89 грн
100+ 85.09 грн
500+ 71.9 грн
1000+ 60.88 грн
2500+ 57.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD5NB120SZT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 1200V 10A 75W DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs, Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off), Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A, Power - Max: 75 W.

Інші пропозиції STGD5NB120SZT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4
Код товару: 35358
Виробник : ST STGD5NB120SZ.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: DPAK
Vces: 1200 V
Vce: 1,2 V
Ic 25: 10 A
Ic 100: 5 A
Pd 25: 55 W
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics stgd5nb120sz.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics stgd5nb120sz.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000338.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000338.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000338.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003381.pdf Description: IGBT 1200V 10A 75W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003381.pdf Description: IGBT 1200V 10A 75W DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 10 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
STGD5NB120SZT4 STGD5NB120SZT4 Виробник : STMicroelectronics STGD5NB120SZT4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 10A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
товар відсутній