Продукція > STMICROELECTRONICS > STGD6M65DF2
STGD6M65DF2

STGD6M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00250120.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD6M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: DPAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns, Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 21.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 88 W.

Інші пропозиції STGD6M65DF2 за ціною від 35.61 грн до 129.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2dm00250.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgd6m65df2-1850894.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.57 грн
10+84.60 грн
100+57.53 грн
500+48.78 грн
1000+39.73 грн
2500+37.37 грн
5000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250120.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 6167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+79.16 грн
100+53.07 грн
500+39.27 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgd6m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2dm00250.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250120.pdf STGD6M65DF2 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.