STGD6M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 413+ | 30.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD6M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: DPAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns, Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 21.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 88 W.
Інші пропозиції STGD6M65DF2 за ціною від 26.33 грн до 122.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: DPAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 88 W |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STGD6M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: DPAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 88 W |
товару немає в наявності |