STGD6M65DF2

STGD6M65DF2 STMicroelectronics


en.DM00250120.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.80 грн
5000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD6M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: DPAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns, Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 21.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 88 W.

Інші пропозиції STGD6M65DF2 за ціною від 30.60 грн до 135.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2dm00250.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250120.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: DPAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 21.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
10+72.86 грн
100+48.82 грн
500+36.13 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgd6m65df2-1850894.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.28 грн
10+79.34 грн
100+48.07 грн
500+39.12 грн
1000+35.59 грн
2500+31.04 грн
5000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgd6m65df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2dm00250.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250120.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00250120.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.