Продукція > ST > STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4

STGD6NC60HDT4

info-tstgd6nc60hdt4.pdf
Виробник: ST
IGBT 600V 15A 56W   STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGD6NC60HDT4 ST

Description: IGBT 600V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns, Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off), Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 13.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A, Power - Max: 56 W.

Інші пропозиції STGD6NC60HDT4 за ціною від 24.53 грн до 113.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgd6nc60hdt4.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.64 грн
10+60.40 грн
25+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgd6nc60hd.pdf Description: IGBT 600V 15A DPAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.99 грн
10+66.67 грн
100+44.53 грн
500+32.88 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgd6nc60hd.pdf IGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.03 грн
10+71.01 грн
100+41.19 грн
500+32.41 грн
1000+29.55 грн
2500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 Виробник : STM stgd6nc60hd.pdf IGBT 6A 600V DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HDT4 Виробник : STMicroelectronics stgd6nc60hd.pdf Description: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.