STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns, Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off), Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 13.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A, Power - Max: 56 W.
Інші пропозиції STGD6NC60HDT4 за ціною від 34.05 грн до 124.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 56 W |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.87 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.43 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 56W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.48 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 103.81 грн |
| 10+ | 67.31 грн |
| 75+ | 54.01 грн |
| 100+ | 52.35 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
Description: IGBT 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.26 грн |
| 10+ | 75.61 грн |
| 100+ | 50.52 грн |
| 500+ | 37.30 грн |
| 1000+ | 34.05 грн |