STGD6NC60HDT4
Виробник: ST
IGBT 600V 15A 56W STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics TSTGD6nc60hdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD6NC60HDT4 ST
Description: IGBT 600V 15A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns, Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off), Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 13.6 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A, Power - Max: 56 W.
Інші пропозиції STGD6NC60HDT4 за ціною від 24.52 грн до 112.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 56W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A DPAK Power - Max: 56 W Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Gate Charge: 13.6 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGD6NC60HDT4 | STMicroelectronics |
IGBTs PowerMESH" IGBT |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 56W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 87.61 грн |
| 10+ | 60.38 грн |
| 25+ | 52.83 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 15A DPAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IGBT 600V 15A DPAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 13.6 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.95 грн |
| 10+ | 66.65 грн |
| 100+ | 44.51 грн |
| 500+ | 32.87 грн |
| 1000+ | 30.01 грн |
| STGD6NC60HDT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH" IGBT
IGBTs PowerMESH" IGBT
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.99 грн |
| 10+ | 70.99 грн |
| 100+ | 41.18 грн |
| 500+ | 32.40 грн |
| 1000+ | 29.54 грн |
| 2500+ | 24.52 грн |