STGD7NB120S-1
Виробник: на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD7NB120S-1
Description: IGBT 1200V 10A 55W IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-, Switching Energy: 15mJ (off), Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V, Gate Charge: 29 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 55 W.
Інші пропозиції STGD7NB120S-1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD7NB120S-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 1200V 10A 55W IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Td (on/off) @ 25°C: 570ns/- Switching Energy: 15mJ (off) Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 29 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 55 W |
товару немає в наявності |