STGD7NC60HT4 STMicroelectronics
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 65.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD7NC60HT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A.
Інші пропозиції STGD7NC60HT4 за ціною від 71.43 грн до 219.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: IGBT 600V 25A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 70 W |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors N-Ch 600 Volt 14 Amp |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 25A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 70 W |
на замовлення 9931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD7NC60HT4 - IGBT, 25 A, 1.85 V, 70 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 |
|
на замовлення 2033 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STGD7NC60HT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 14A; 70W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 14A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |