STGD8NC60KDT4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.63 грн |
| 500+ | 49.72 грн |
| 1000+ | 43.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGD8NC60KDT4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STGD8NC60KDT4 за ціною від 28.02 грн до 132.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGD8NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET |
на замовлення 2419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGD8NC60KDT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGD8NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STGD8NC60KDT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |