STGF10H60DF STMicroelectronics
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 211+ | 58.61 грн |
| 221+ | 55.88 грн |
| 500+ | 50.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGF10H60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns, Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 57 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції STGF10H60DF за ціною від 35.95 грн до 155.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 30W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 30 W |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
STGF10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |


