STGF10M65DF2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 30 W
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.72 грн |
| 50+ | 57.48 грн |
| 100+ | 51.32 грн |
| 500+ | 38.02 грн |
| 1000+ | 34.76 грн |
| 2000+ | 32.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGF10M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції STGF10M65DF2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGF10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STGF10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
товару немає в наявності |