STGF10NB60SD STMicroelectronics
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGF10NB60SD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 23A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220FP, Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs, Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off), Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V, Gate Charge: 33 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції STGF10NB60SD за ціною від 43.17 грн до 187.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGF10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO220FP Kind of package: tube Gate charge: 33nC Collector current: 23A Pulsed collector current: 80A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 25W Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGF10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 23A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V Gate Charge: 33 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 25 W |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGF10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGF10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 25W; TO220FP Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO220FP Kind of package: tube Gate charge: 33nC Collector current: 23A Pulsed collector current: 80A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 25W Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STGF10NB60SD Код товару: 175402
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
STGF10NB60SD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |