Продукція > STMICROELECTRONICS > STGF30H65DFB2

STGF30H65DFB2 STMICROELECTRONICS

Name: STGF30H65DFB2
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 24329200-6
Price: 897.26 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGF30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 50 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	128.18 грн
10+	112.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STGF30H65DFB2 STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220FP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns, Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 50 W.

Інші пропозиції STGF30H65DFB2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STGF30H65DFB2	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 25A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGF30H65DFB2	Виробник : STMicroelectronics	Trans IGBT Chip N-CH 650V 25A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGF30H65DFB2	Виробник : STMicroelectronics	Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 50 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGF30H65DFB2	Виробник : STMicroelectronics	IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STGF30H65DFB2	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 50W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.