Продукція > STMICROELECTRONICS > STGF30M65DF2
STGF30M65DF2

STGF30M65DF2 STMicroelectronics

2688666956056133dm0015.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.13 грн
89+153.14 грн
107+117.99 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGF30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 38 W.

Інші пропозиції STGF30M65DF2 за ціною від 69.03 грн до 211.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics 2688666956056133dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.51 грн
10+160.52 грн
25+160.04 грн
50+153.46 грн
100+118.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 38 W
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.16 грн
50+100.93 грн
100+90.99 грн
500+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMICROELECTRONICS en.DM00157912.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 2688666956056133dm0015.pdf
STGF30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+189.51 грн
10+160.52 грн
25+160.04 грн
50+153.46 грн
100+118.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 38 W
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.16 грн
50+100.93 грн
100+90.99 грн
500+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 en.DM00157912.pdf
STGF30M65DF2
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.