STGF30M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 85.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGF30M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 38 W.
Інші пропозиції STGF30M65DF2 за ціною від 65.89 грн до 260.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGF30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STGF30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGF30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 38 W |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGF30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGF30M65DF2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
STGF30M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|