STGF30M65DF2

STGF30M65DF2 STMicroelectronics


2688666956056133dm0015.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGF30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 38 W.

Інші пропозиції STGF30M65DF2 за ціною від 71.16 грн до 247.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.06 грн
10+100.61 грн
26+95.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgf30m65df2-1850756.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.82 грн
10+106.74 грн
100+75.46 грн
500+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2688666956056133dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+152.51 грн
10+129.18 грн
25+128.79 грн
50+123.50 грн
100+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2688666956056133dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+163.91 грн
89+132.73 грн
107+102.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.96 грн
3+164.56 грн
10+120.74 грн
26+114.13 грн
2000+109.42 грн
6000+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 38 W
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.70 грн
50+118.05 грн
100+106.53 грн
500+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061563-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.18 грн
10+227.71 грн
100+114.28 грн
500+88.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.