STGFW40V60F STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGFW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 62.5 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 280.43 грн |
| 10+ | 157.69 грн |
| 100+ | 156.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGFW40V60F STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns, Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 226 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 62.5 W.
Інші пропозиції STGFW40V60F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STGFW40V60F | STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STGFW40V60F |
|
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)