Продукція > STMICROELECTRONICS > STGH30H65DFB-2AG
STGH30H65DFB-2AG

STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics

stgh30h65dfb-2ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: H2Pak-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns, Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 260 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STGH30H65DFB-2AG за ціною від 94.55 грн до 314.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+125.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMICROELECTRONICS 3773982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+218.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+247.52 грн
10+185.96 грн
25+184.00 грн
50+175.68 грн
100+126.68 грн
250+120.45 грн
500+104.04 грн
1000+94.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+266.56 грн
61+200.26 грн
62+198.15 грн
63+189.20 грн
100+136.42 грн
250+129.71 грн
500+112.05 грн
1000+101.82 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMICROELECTRONICS 3773982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.04 грн
10+205.00 грн
100+152.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics stgh30h65dfb_2ag-2943468.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.69 грн
10+209.31 грн
25+179.81 грн
100+135.04 грн
500+114.49 грн
1000+107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.38 грн
10+199.23 грн
100+140.62 грн
500+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260mW Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+125.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics en.dm00872062.pdf STGH30H65DFB-2AG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: H2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG Виробник : STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: H2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.