Продукція > STMICROELECTRONICS > STGH30H65DFB-2AG
STGH30H65DFB-2AG

STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics

stgh30h65dfb-2ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: H2Pak-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns, Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 260 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STGH30H65DFB-2AG за ціною від 101.78 грн до 287.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.56 грн
10+220.15 грн
25+218.08 грн
50+208.20 грн
100+153.72 грн
250+146.12 грн
500+127.73 грн
1000+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.56 грн
65+218.08 грн
66+208.20 грн
100+153.72 грн
250+146.12 грн
500+127.73 грн
1000+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.02 грн
10+181.65 грн
100+127.73 грн
500+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMICROELECTRONICS 3773982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMICROELECTRONICS 3773982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG en.dm00872062.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+283.56 грн
10+220.15 грн
25+218.08 грн
50+208.20 грн
100+153.72 грн
250+146.12 грн
500+127.73 грн
1000+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG en.dm00872062.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+283.56 грн
65+218.08 грн
66+208.20 грн
100+153.72 грн
250+146.12 грн
500+127.73 грн
1000+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG stgh30h65dfb-2ag.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.02 грн
10+181.65 грн
100+127.73 грн
500+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG stgh30h65dfb-2ag.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Виробник: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG 3773982.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGH30H65DFB-2AG 3773982.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.