STGH30H65DFB-2AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 165.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGH30H65DFB-2AG STMICROELECTRONICS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: H2Pak-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns, Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 260 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STGH30H65DFB-2AG за ціною від 97.97 грн до 322.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: H2Pak-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 260 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260mW Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
STGH30H65DFB-2AG |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
STGH30H65DFB-2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: H2Pak-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 260 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |