STGHU30M65DF2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.24 грн |
| 10+ | 234.35 грн |
| 25+ | 192.01 грн |
| 100+ | 164.79 грн |
| 250+ | 155.96 грн |
| 600+ | 147.14 грн |
| 1200+ | 125.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGHU30M65DF2AG STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 223 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: HU3PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/151ns, Switching Energy: 210µJ (on), 1.147mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 84 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 441 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STGHU30M65DF2AG за ціною від 203.85 грн до 361.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGHU30M65DF2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGHU30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 84 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, HU3PAK, 7 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: M Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 84A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STGHU30M65DF2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGHU30M65DF2AG - IGBT, AEC-Q101, 84 A, 1.6 V, 441 W, 650 V, HU3PAK, 7 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| STGHU30M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
STGHU30M65DF2AG |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STGHU30M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 223 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: HU3PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/151ns Switching Energy: 210µJ (on), 1.147mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 84 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 441 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
STGHU30M65DF2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 84A HU3PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 223 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: HU3PAK IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/151ns Switching Energy: 210µJ (on), 1.147mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 84 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 441 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |