STGP10H60DF STMicroelectronics
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.15 грн |
| 10+ | 86.09 грн |
| 100+ | 64.22 грн |
| 250+ | 64.14 грн |
| 500+ | 56.80 грн |
| 1000+ | 49.61 грн |
| 2000+ | 48.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP10H60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns, Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 57 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції STGP10H60DF за ціною від 49.18 грн до 169.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP10H60DF | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGP10H60DF - IGBT, 20 A, 1.5 V, 115 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGP10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STGP10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STGP10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STGP10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STGP10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STGP10H60DF | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |