STGP10M65DF2 STMicroelectronics
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 27.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGP10M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT 650V 10A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.
Інші пропозиції STGP10M65DF2 за ціною від 30.30 грн до 105.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
 IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STGP10M65DF2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
STGP10M65DF2 THT IGBT transistors |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
STGP10M65DF2 Код товару: 113385
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-220-3 Vces: 650 V Vce: 1,5 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А Pd 25: 115 W td(on)/td(off) 100-150 град: 18/90 |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
|
|
STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STGP10M65DF2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 650V 10A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 28 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W |
товару немає в наявності |