Продукція > STMICROELECTRONICS > STGP10M65DF2
STGP10M65DF2

STGP10M65DF2 STMicroelectronics

1769205094753272dm0015.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.56 грн
13+ 47.62 грн
100+ 42.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP10M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT 650V 10A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.

Інші пропозиції STGP10M65DF2 за ціною від 35.36 грн до 101.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics STGP10M65DF2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.22 грн
10+ 66.59 грн
14+ 61.04 грн
37+ 57.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGP10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.95 грн
11+ 68.13 грн
100+ 60.96 грн
500+ 53.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics STGP10M65DF2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.49 грн
10+ 79.91 грн
14+ 73.25 грн
37+ 69.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgp10m65df2-1850863.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.78 грн
10+ 82.71 грн
100+ 55.54 грн
500+ 47.08 грн
1000+ 38.29 грн
2000+ 37.16 грн
5000+ 35.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2
Код товару: 113385 		Виробник : ST dm00155754-770649.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220-3
Vces: 650 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 115 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/90
товар відсутній
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155754.pdf Description: IGBT 650V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
товар відсутній