Продукція > STMICROELECTRONICS > STGP10M65DF2
STGP10M65DF2

STGP10M65DF2 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.78 грн
10+71.14 грн
50+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGP10M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.

Інші пропозиції STGP10M65DF2 за ціною від 30.30 грн до 154.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155754.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.46 грн
10+82.09 грн
100+55.24 грн
500+41.04 грн
1000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D56A928D0800D3&compId=STGP10M65DF2.pdf?ci_sign=5e0e29a7d49fea2f303af7d189e04fe1ceb0e228 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.54 грн
10+88.65 грн
50+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00155754.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.12 грн
10+90.00 грн
100+52.87 грн
500+41.82 грн
1000+38.29 грн
2000+35.22 грн
5000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061675-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGP10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.08 грн
10+98.13 грн
100+66.11 грн
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2
Код товару: 113385
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST dm00155754-770649.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220-3
Vces: 650 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 115 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/90
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGP10M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 1769205094753272dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.